一種制備聚吡咯/凹凸棒土納米導電復合材料的方法
來源：中國凹凸棒土網(wǎng) 03-11 09:53
本發(fā)明公開了一種制備聚吡咯/凹凸棒土納米導電復合材料的方法，先向去離子水中加入凹凸棒土配制成凹凸棒土漿料，水與凹凸棒土的質(zhì)量比為4～19：1；將吡咯單體和摻雜劑分別加入到凹凸棒土漿料中攪拌均勻，吡咯與凹凸棒土的質(zhì)量比為0.1～0.5：1，摻雜劑與吡咯的摩爾比為0.15～1.05：1；再在混合漿料中加入氧化劑，氧化劑與吡咯的摩爾比為1～5：1，在10～60℃下化學氧化聚合10～30min；最后進行固液分離后用去離子水洗滌至濾液為無色；將濾餅于60～150℃下干燥、粉碎得到聚吡咯/凹凸棒土納米導電粉體。本發(fā)明采用快速化學氧化原位聚合的方法，在一維納米棒狀凹凸棒土單晶表面包覆上導電高分子聚吡咯制得，不需特殊前處理，合成工藝簡單快捷，導電性能優(yōu)異，熱穩(wěn)定性能優(yōu)良。
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申請?zhí)?shy; |
CN200810243156 |
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申請日 |
2008.12.09 |
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公開（公告）號 |
CN101418122B |
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公開（公告）日 |
2010.12.08 |
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IPC分類號 |
C08L79/04; H01B1/12; C08G73/06; C08K3/34 |
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申請（專利權）人 |
江蘇工業(yè)學院; |
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發(fā)明人 |
姚超;王文娟;陳志剛;李為民;高國生;羅士平; |
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優(yōu)先權號 |
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優(yōu)先權日 |
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申請人地址 |
江蘇省常州市鐘樓區(qū)白云路; |
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申請人郵編 |
213164; |
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CPC分類號 |
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